二维拓扑绝缘体两带模型的规范理论与纽结理论



活动地点:校本部G309

活动时间:2020-10-22 10:00:00

报告题目(Title):二维拓扑绝缘体两带模型的规范理论与纽结理论

报告人(Speaker):刘鑫 副教授(北京工业大学)

报告时间(Time):2020年10月22日(周四)上午10:00

报告地点(Place):校本部G309

邀请人(Inviter):姜颖

摘要(Abstract):

二维拓扑绝缘体的紧束缚模型中,两带模型(two-band model)是能够产生非平庸拓扑的最简单模型。霍尔电导σ_xy=e^2/h P的量子化主要由拓扑数P(称为Pontrjagin指数)决定,本工作主要关注P的取值。报告第一部分引进一种新的规范理论,用’t Hooft 单极子(monopole)拓扑模型来诱导单极和半子(meron)激发,复现文献中P=0, ±1的结果。第二部分则提出一个全新的纽结理论观点,将P解释为两个环的高斯缠绕数。这样不仅可以得到P=0, ±1,还可为设计更复杂的新拓扑材料提供可能,即具有高拓扑数P=0, ±1, ±2的方晶格结构。这一方法预期可进一步推广到更复杂的拓扑新材料研究当中。

 

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